Новый способ удаления водорода с поверхности кремния
Опубликовал: Andrew | рубрики: Наука и техника |
Группа американских учёных продемонстрировала новую технологию удаления атомов водорода с поверхности кремния при помощи лазера. В перспективе разработка может уменьшить стоимость производства микросхем, солнечных батарей и других полупроводниковых устройств, сообщается на официальном сайте Национального научного фонда США.
В настоящее время микросхемы производятся наложением слоёв кремния друг на друга. В процессе для предотвращения окисления поверхности кремния используется водород, который связывает его свободные атомы. Перед наложением следующего слоя атомы водорода должны быть удалены, для чего кристалл нагревается до 550°С. При такой высокой температуре может разрушиться строение решетки, и микросхема окажется не работоспособной.
Для решения этой проблемы учёные настроили лазер на частоту, при которой его свет поглощается связью между атомами водорода в молекуле. В результате этого атомы начинают колебаться на одинаковой с лучом частоте и удаляются с поверхности. Используя предложенную технику, станет возможным понизить рабочую температуру процесса, что благоприятно скажется на выходе пригодных для использования кристаллов.
Учёные показали также, что при использовании водорода в смеси с его изотопом дейтерием, методика позволяет селективно удалять с поверхности водород, оставляя дейтерий на месте.
