Re: Век информации переходит в век киборгов
Добавлено: 20.09.2012, 14:16
Диверсии. Прямое противостояние в высокотехнологичной войне невозможно.Одиночка писал(а):Всё и много больше.
Диверсии. Прямое противостояние в высокотехнологичной войне невозможно.Одиночка писал(а):Всё и много больше.
Прочитал "ТЕЗИСЫ ДОКЛАДА Т.Н. ЩУКИНА" изhalayudha писал(а):Не могу не промолчать.
Особенно понравилось:halayudha писал(а):http://iph.ras.ru/uplfile/ai/ai.pdf
Чувствуется, что философы наши далеко собрались.не существует принципиальных системных ограничений для воспроизведения психических функций на небиологическом субстрате, для создание технологии субстрат-независимого разума,
Влияние современной культуры в лице фильма "Аватар" тоже чувствуется– Этап (подпроект) «Аватар А» – представляет собой разработку антропоморфного робота, управляемого посредством нейроинтерфейса;
– Этап (подпроект) «Аватар Б» – создание системы жизнеобеспечения мозга и системы его коммуникации со внешней средой;
– Этап (подпроект) «Аватар В» – представляет собой создание компьютерной модели мозга и психики человека методом обратного инжиниринга и разработку способа переноса личности на искусственный носитель.
- Этап (подпроект) «Аватар Г» - поддержка и создание для субстрат-независимого разума искусственных тел на новых принципах - управляемая материя, динамическая голограмма и т.д..
Понятие "аватар" появилось три тысячи лет назад, как минимум.sla писал(а):Влияние современной культуры в лице фильма "Аватар" тоже чувствуется
Думаю, у них и мысли нет пока делать что-либо подобное этой кирасе. Довольно редко изобретатели чётко представляют себе весь спектр применений их собственного детища.толик писал(а):Думается что доработка всё-таки нужна, так как количество электричества полученное таким способом должно быть не особенно большим по мощности/амперажу.
Кажется в этот раз наоборот.halayudha писал(а):Довольно редко изобретатели чётко представляют себе весь спектр применений их собственного детища.
Полностью - тут.IBM уже больше 10 лет занимается разработкой оптоэлектронных чипов, объединяющих на одном кристалле обычные полупроводники и оптические элементы — модуляторы, волноводы, мультиплексоры. Если раньше речь шла лишь о прототипах, созданных в лабораторных условиях, то теперь удалось создать нанооптический трансмиттер на практически стандартной производственной линии, использующей 90нм техпроцесс с незначительными модификациями. Это значит, что уже скоро может быть налажен массовый выпуск чипов с оптическими шинами для связи процессора с памятью или различных блоков процессора между собой.
Нанооптический чип IBM под микроскопом. Оранжевые области — медь, синие — волноводы.
Давно пора - читал про подобные эксперименты ещё в книге Гершунского, когда в техникуме учился - год выпуска 1989. Пора уже, в самом деле. Но настоящая революция произойдёт, когда сделают оптический процессор.Одиночка писал(а):Это значит, что уже скоро может быть налажен массовый выпуск чипов с оптическими шинами для связи процессора с памятью или различных блоков процессора между собой.
Полностью оптическим он не будет - блоки памяти пока что остаются электронными. Хотя - кто знает, может быть научатся и светом записывать и читать данные насколько же быстро, как и электронным способом.Нгаан писал(а):Но настоящая революция произойдёт, когда сделают оптический процессор.
Не, память будет МРМ - магнитно-резистивная с высокой степенью концентрации магнитных доменов, а процессор будет полностью оптическим. Кэш на кристалле будет не нужен в нынешнем его понимании, если есть оптоволокно для связи с громадной памятью.Одиночка писал(а):Хотя - кто знает, может быть научатся и светом записывать и читать данные насколько же быстро, как и электронным способом.
Можно пруф на описание этой памяти?Нгаан писал(а):Не, память будет МРМ
Как то вот так:Одиночка писал(а):Можно пруф на описание этой памяти?
MRAM — магниторезистивная память.
Состоит из магнитного материала, расположенного между двумя металлическими пластинами. Для селективной адресации используется Co/Cu/NiFe «сэндвич» и GaAs-диод. Для запоминания бита информации в MRAM ток пропускается через металлические обкладки такого «сэндвича».
Пропуская электрический ток «вдоль», можно ориентировать магнитный поток «поперёк». Причем направление полей изменяет сопротивление магнитного материала, что можно интерпретировать как логическое состояние «0» или «1».
Информация, записанная в такой памяти, не требует регенерации. Это приводит к тому, что при выключении компьютера в оперативной памяти будет сохраняться вся информация. Такая возможность сыграет роль при стирании границ между ОЗУ и ПЗУ.
Интегрирование памяти на подложку процессора или на процессорную плату становится всё более реальным, так как MRAM работает совершенно по другим принципам. Для хранения информации практически не используется электрическое поле, что в свою очередь не требует отдельной изоляции процессора от встроенной памяти.
... Фирма IBM и германская компания Infeneon совместно ведут исследования в области высоких технологий с конца 80-х годов. Главные наработки были получены в процессе исследования гигантского магниторезистивного эффекта (GMR) магнитного туннельного эффекта (MTJ). Однако только в декабре 2000 года ... техпроцесс был переведён на 0,6 мкм технологию.
... Motorola Labs совместно с Digital DNA Labs в феврале 2001 года выпустили образец 3-вольтовой памяти MRAM со временем доступа 15 нс и временем цикла чтения менее 24 нс., что соответствует частоте работы памяти 400 МГц.
MRAM от Motorola для того чтобы достичь малого размера ячейки, состоит из структуры, основанной на одном-единственном транзисторе и магнитном туннеле (MTJ).
Среди фирм, которые ведут исследования в данной области, также следует назвать HP Labs, Union Semiconductor Technology Corp. (USTC), Honeywell Inc.., Interuniversities microelectronics Center (IMEC), Philips, Siemens.
Так, IMEC, используя 1,0 мкм GaAs-технологию, построила матрицу 3x3 спин-вольтовых ячеек. Сопротивление каждой ячейки разное при различном направлении протекания тока. IMEC планирует построить магнитную память, работа которой будет базироваться на магнитном туннельном эффекте интегрированном с кремниевым диодом или транзистором для адресации.
Ко всем вышеперечисленным преимуществам новой памяти следует добавить практически неисчерпаемый ресурс. При испытаниях на долговечность память продолжала нормально функционировать после 10 миллиардов (!) циклов записи/чтения. Следует также отметить устойчивость данного вида памяти к радиоактивному излучению.
Первые массовые микросхемы MRAM сойдут с конвейера не ранее 2003 года, а коммерческое производство начнётся не раньше 2004 года.
(источник: журнал «Мой компьютер», №21 (140) 21.05 - 28.05 2001, Статья «Памятка о
MRAM», автор Александр Волоха, alex-frost@ukr.net)
А есть ещё и вот такие разработки, и тоже весьма "несвежие".Одиночка писал(а):А вот и свеженький модуль
Пластиковая память.
Вплотную к своей реализации приблизился процесс производства памяти на полимерной основе. Совместная разработка компаний Intel и Thin Film Electronics (http://www.thinfilm.se), эта технология обещает составить реальную альтернативу памяти Flash - в первую очередь, за счет десятикратного снижения себестоимости.
В основе органической памяти лежит специальная полимерная подложка с интегрированной решеткой электродов. Обращение к ячейке памяти осуществляется прикладыванием напряжения к нужным электродам, при этом запись сопровождается изменением состояния органического материала.
Ожидается, что пластиковая память будет более емкой, поскольку полимеры проще производить, чем химически чистый кремний, используемый в современных чипах. Вдобавок, пластик проще размещать в виде нескольких слоев.
(источник: журнал CHIP, 4/2002, апрель)
Да, но лично я здесь пессимизма не увидел.Нгаан писал(а):Немного пессимизма никогда не помешает ... для рационализации научного поиска.